Rasterelektronenmikroskopie

Rasterelektronenmikroskop und Schreibtisch in einem Labor.
© Michael MarxRasterelektronenmikroskop Tescan Vega

Tescan VEGA 3 XMH

Ein Elektronenmikroskop für Standard-Abbildungen auf dem aktuellen Stand der Technik. Ausgestattet mit W-Haarnadelkathode bietet das Gerät eine Auflösung von 3 nm für Sekundärelektronen. Der hohe Strahlstrom bis 2 µA ermöglicht Anwendungen die besonders hohe Strahlströme erfordern wie Electron Channeling Contrast Imaging (ECCI). Die 3D-Beam Technology erlaubt Selected Area Electron Channeling Pattern-Abbildung und Live-3D-Augnahmen. Der besonders robuste Probentisch mit großem Verfahrweg kann Proben bis 8 kg sowie auch größere In-Situ Module tragen.

Technische Daten

  • W-Haarnadel-Kathode
  • Beschleunigungsspannung: 200 V- 30 kV
  • Auflösung (Strahldurchmesser): 3 nm
  • Strahlstrom bis 2 µA
  • Probengewicht: bis 8 kg
  • Probentisch mit XY-Verfahrweg 130 mm und 100 mm in Z-Richtung
  • Bildauflösung bis 16.384 x 16.384
  • Wide Field Optics™ für 2x Vergrößerungen ab 2-fach
  • Einzigartige '3D Beam Technology' für stereoskopische Live-Bilder und Selected Area Channeling Pattern (SACP)

Modi

  • Standard SE-Abbildung
  • RE Topographie-, Material- und Orientierungskontrast (inkl. Electron Channeling Contrast)
  • stereoskopische Live-Bilder
  • Selected Area Channeling Pattern (SACP)

In-situ Devices

 
Labor mit einem Rasterelektronenmikroskop und mehreren Computern zur Steuerung.
© Michael MarxRasterelektronenmikroskop Zeiss Sigma

Zeiss SIGMA VP

Ein Elektronenmikroskop für hochauflösende Abbildung auf dem aktuellen Stand der Technik. Ausgestattet mit Feldemissionkathode bietet das Gerät eine Auflösung von 1,3 nm für Sekundärelektronen. Des Weiteren können mittels Vier-Quadranten-Halbleiterdetektor Rückstreuelektronenabbildungen für getrennten Topographie-, Material- und Orientierungskontrast gemacht werden. Für Materialanalysen und Kristallstruktur-, Textur- und Orientierungsmessungen steht ein Oxford Aztec System zur Verfügung. Im VP Mode können auch nicht leitfähige Proben ohne zusätzliche Beschichtung abgebildet werden. Ein STEM Detektor vervollständigt die Riege der Abbildungsmethoden bis hin zur Abbildung einzelner Versetzungen in dünnen Proben.

Technische Daten

  • Schottky Feldemitter
  • Beschleunigungsspannung: 100 V- 30 kV
  • Auflösung (Strahldurchmesser): 1,3 nm bei 20 kV
  • Strahlstrom 4 pA bis 20 nA
  • Probengewicht: bis 1 kg
  • Probentisch mit XY-Verfahrweg 125 mm und 50 mm in Z-Richtung
  • VP Mode (erhöhter Kammerdruck (2 - 133 Pa)
  • Bildauflösung bis 3072 x 2304
     

Modi

  • Standard Sekundärelektronen (SE)-Abbildung,
  • Hochauflösende InLense SE-Abbildung,
  • Rückstreuelektronenkontrast für Topographie-, Material- und Orientierungskontrast
  • STEM (Scanning Transmission Electron Microscopy)-mode
  • EDX und EBSD Mappings, auch kombiniert.
     

In-situ Devices

  • Heizen und Kühlen
  • Uniaxialer Zug und Druck
  • Ermüdung (im LCF-Bereich)
  • Biegung
  • Nanoindenter
  • weitere Informationen
 

Anfragen beantworten:

Dr. Michael Marx  Prof. Dr. Christian Motz

 

Das Zeiss SIGMA VP ist von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) gefördert.